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微电子器件复习重点
阅读量:7222 次
发布时间:2019-06-29

本文共 345 字,大约阅读时间需要 1 分钟。

目录

微电子器件复习重点

考试时间

二十八号下午一点半

考试题型

选择不定项选择10 5x

简答题40 7x

综合 50 3x

课本重点

第一章节 物理

三类方程,各自的一维基本形式

简化形式, 连续形,耗尽区,泊松方程

P3 1-9------1.13

例题:P4 1.2

第二章节 pn结

  1. 空间电荷区大形成
  2. 少子运动形式 (均匀区域: 缓变区:内建电场,飘逸运动)

第三章节 双极晶体管

  1. 剖面图
  2. 工作机理
  3. mos工作原理
  4. 四种工作状态对应的偏置状态

场效用晶体管(1...)

  1. 几类
  2. 晶体管对应的特点

程序题

  1. 要读懂
  2. 要注意单位

怎么定义网格,

区域的点极的定义,

结构的描述;

转载于:https://www.cnblogs.com/liguo-wang/p/11018967.html

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